Barca in wafer di SiC
I wafer boat in SiC di Semixlab sono progettati appositamente per le applicazioni di diffusione ad alta temperatura più esigenti nella produzione di semiconduttori. Realizzati in carburo di silicio sinterizzato ad alta densità, offrono resistenza eccezionale, inerzia chimica e prestazioni senza particelle fino a 1,800 °C. Forniamo specifiche standard e personalizzate con consegna rapida, garantendo una gestione affidabile dei wafer e prolungando la durata del prodotto per i vostri processi critici.
Descrizione
Ⅰ. Ottimizza i tuoi processi di diffusione ad alta temperatura con le barche per wafer SiC di Semixlab
Nel complesso mondo della produzione di semiconduttori, l'integrità e la purezza dei wafer durante i processi di diffusione ad alta temperatura sono fondamentali. Semixlab offre wafer boat in SiC (carburo di silicio) progettati per soddisfare i più severi requisiti di fabbricazione avanzata, garantendo prestazioni affidabili e massimizzando la resa del processo.

Ⅱ. Applicazioni delle imbarcazioni in wafer di SiC:
Le nostre navicelle orizzontali quadrate in SiC sono la soluzione ideale per trattenere saldamente i wafer durante i processi critici di diffusione ad alta temperatura. Progettate per garantire stabilità e precisione, sono un componente indispensabile negli impianti che richiedono un'eccellente resistenza termica e chimica per la movimentazione dei wafer.
III. Caratteristiche essenziali per ambienti esigenti:
I wafer boat SiC di Semixlab sono realizzati per possedere attributi chiave essenziali per il successo nelle applicazioni di semiconduttori ad alta temperatura:
●Eccezionale resistenza alle alte temperature: I nostri wafer in SiC mantengono la loro integrità strutturale e la loro forma anche sotto stress termico estremo, impedendo deformazioni o deformazioni che potrebbero compromettere l'allineamento dei wafer e la coerenza del processo.
●Stabilità chimica superiore alle alte temperature: Costruite in carburo di silicio avanzato, le nostre imbarcazioni presentano un'eccezionale resistenza ai gas corrosivi e alle sostanze chimiche comunemente utilizzate nei forni a diffusione, riducendo al minimo i rischi di contaminazione e prolungando la durata del prodotto.
● Generazione di particelle zero: Sappiamo che le particelle microscopiche possono influire gravemente sulle prestazioni del dispositivo. I nostri meticolosi processi di produzione garantiscono che i wafer in SiC di Semixlab siano praticamente privi di dispersione di particelle, salvaguardando i vostri preziosi wafer dalla contaminazione.
Ⅳ. Perché scegliere Semixlab per le tue barchette per wafer?
Scegliere di collaborare con Semixlab per le vostre esigenze in materia di wafer in SiC significa scegliere un impegno verso qualità, affidabilità e precisione.
✔Specifiche e personalizzazioni diverse: Offriamo un'ampia gamma di specifiche standard per wafer in SiC, adatte a vari tipi di forni e dimensioni di wafer. Inoltre, il nostro team di ingegneri esperti offre servizi di personalizzazione completi per progettare e realizzare soluzioni su misura, studiate appositamente per soddisfare le vostre specifiche esigenze di processo.
✔Materiale in carburo di silicio sinterizzato denso di alta qualità: I nostri wafer in SiC sono realizzati in materiale denso di carburo di silicio sinterizzato, noto per le sue eccellenti proprietà meccaniche, conduttività termica e purezza, fondamentali per le applicazioni più impegnative dei semiconduttori.
✔Durata prolungata: Grazie alla durevolezza e alla resistenza intrinseche del SiC sinterizzato denso, le nostre barche wafer offrono una lunga vita operativa, riducendo significativamente la frequenza di sostituzione e abbassando i costi complessivi di proprietà.
Specifiche
| Proprietà fisiche del carburo di silicio sinterizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Composizione chimica | SiC>95%, Si<5% |
| Densità | >3.07 g/cm³ |
| Porosità apparentePorosità apparente | |
| Modulo di rottura a 20℃ | 270 MPa |
| Modulo di rottura a 1200℃ | 290 MPa |
| Durezza a 20℃ | 2400 Kg/mm² |
| Tenacità alla frattura al 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| Conduttività termica a 1200℃ | 45 w/m·K |
| Espansione termica a 20-1200℃ | 4.5 1 ×10-6/℃ |
| Temperatura massima di esercizio | 1400 ℃ |
| Resistenza agli shock termici a 1200℃ | Buone |
I nostri servizi

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