Tubo del forno di diffusione al quarzo ad alta purezza

Il tubo del forno a diffusione di quarzo ad alta purezza è specificamente progettato per il processo di diffusione ad alta temperatura nella produzione di wafer semiconduttori. È prodotto con sabbia di quarzo sintetica ad altissima purezza (SiO₂Purezza ≥99.999%). Soddisfano i rigorosi requisiti di pulizia, stabilità termica e inerzia chimica dei processi avanzati inferiori a 7 nm. Prodotti realizzati tramite processo di fusione ad arco e tecnologia di lavorazione di precisione, per garantire la stabilità della struttura in ambienti ad alta temperatura di 1200 °C, ampiamente utilizzati nel drogaggio con fosforo/boro, nella crescita di ossidi e in altri processi chiave.

Materiali e caratteristiche del nucleo

Materiale ad altissima purezza

Purezza SiO₂: ≥99.999% (grado 5N), elemento di impurità totale ≤2 ppm (in linea con lo standard SEMI F63).

Controllo delle impurità chiave: Li+Na+K≤0.5 ppm, Fe≤0.1 ppm, Al≤0.3 ppm, B≤0.05 ppm (evitare interferenze da drogaggio).

Contenuto di idrossili: ≤1 ppm (dopo il trattamento di deidrossilazione per prevenire difetti del wafer causati dallo sviluppo di idrogeno ad alta temperatura).

Ottimizzazione delle prestazioni termiche

Coefficiente di dilatazione termica: 5.5×10^-7K^-1(20-1000 °C), evitando fessurazioni da deformazione causate da sbalzi di temperatura.

Punto di rammollimento: 1680℃, temperatura di esercizio a lungo termine ≤1250℃ (supporta un rapido processo di aumento e raffreddamento).

Resistenza agli shock termici: resiste a cicli di tempra a temperatura ambiente di 1200℃→ ≥200 volte (verifica standard ASTM C338).

Inerzia chimica e pulizia

Resistenza alla corrosione: resistente a HF, HCl, HNO₃ e altri acidi forti (tasso di perdita di peso ≤0.005 mg/cm²·h).

Pulizia della superficie: Ra≤0.1μm (lucidatura CMP), particolato ≤5/m2 (@0.1μm, in linea con la classe ISO 1).

Controllo dell'inquinamento da metalli: residui metallici superficiali ≤0.1 ppb (rilevazione ICP-MS).

Particolare rapida:

1. Altri nomi: tubo di reazione al quarzo, tubo del forno ad alta temperatura.

2. Applicazione: processo di diffusione di wafer.

3. Parametri principali: purezza ≥99.995%, resistenza alla temperatura 1600℃, diametro interno 20-300 mm.

Drogaggio per diffusione ad alta temperatura.

Diffusione di una sorgente allo stato solido di fosforo/boro (1000-1200℃).

Processo di ricottura termica rapida (RTA) (velocità di salita/raffreddamento ≥100℃/s).

L'elevatissima purezza e la resistenza alla cristallizzazione prolungano la durata del tubo del forno.

Supporta la progettazione di strutture complesse e si adatta a diversi requisiti di processo.

Rigoroso controllo delle tolleranze dimensionali (±0.5 mm).