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Grafite porosa
| Luogo di origine: | Cina | |
| Marca: | Semixlab | |
| Numero di modello: | PG-001 | |
| Certificazione: | ISO9001 | |
| Quantità di ordine minimo: | A seconda delle dimensioni individuali (supporto per la ricerca e lo sviluppo di ordini di prova in piccoli lotti) | |
| Prezzo: | Preventivo in base alla richiesta personalizzata (sconto per grandi quantità) | |
| Imballaggi particolari: | Imballaggio antiossidante a tenuta d'aria, scatola di legno antiurto (in linea con gli standard di trasporto internazionali) | |
| Tempi di consegna: | 20-45 giorni (a seconda della complessità della personalizzazione) | |
| Condizioni di pagamento: | T/T (50% in anticipo, 50% pagato prima della consegna) | |
| Capacità di fornitura: | Capacità produttiva mensile di 3000 pezzi, supporto alla produzione di ordini urgenti | |
Descrizione
La grafite porosa viene utilizzata principalmente nel processo di crescita monocristallina di carburo di silicio (SiC) mediante PVT (trasferimento fisico da vapore), ed è il materiale principale del sistema di campo termico ad alta temperatura. Il prodotto è realizzato in grafite pressata isostaticamente ad altissima purezza, che forma una struttura porosa uniforme e controllabile attraverso lavorazioni CNC di precisione e tecnologia di controllo dei pori, garantendo prestazioni eccellenti in condizioni di processo estreme (2200 °C). Il suo design esclusivo migliora significativamente l'uniformità del campo termico e ottimizza l'efficienza del trasferimento in fase gassosa, garanzia fondamentale per la crescita cristallina di SiC di alta qualità.
Caratteristiche principali e vantaggi del processo:
Purezza estrema e basso tasso di difetti
Il processo di purificazione ad alta temperatura sotto vuoto (trattamento a 3000 °C) viene utilizzato per ridurre ulteriormente il contenuto di impurità non metalliche come ossigeno e azoto. Elimina i difetti cristallini indotti dalle impurità (come microtubuli e dislocazioni) per garantire la costanza delle prestazioni elettriche dei monocristalli di SiC.
Stabilità a temperatura ultra elevata e controllo del campo termico
In un ambiente con argon/vuoto, può resistere a un funzionamento continuo a 2200℃ per più di 1000 ore, ha un basso coefficiente di dilatazione termica ed evita la rottura del materiale causata dallo stress termico.
La porosità supporta la progettazione della distribuzione del gradiente, combinata con la simulazione CFD per ottimizzare la dimensione dei pori (10-200 μm), regolare accuratamente la distribuzione del campo termico, ridurre la fluttuazione del gradiente di temperatura (entro ±3℃) e migliorare l'uniformità della crescita dei cristalli.
Soluzioni personalizzate
Adattamento geometrico: supporta la lavorazione di forme complesse (come crogioli anulari, schermi multistrato), adattandosi alla struttura del forno del cliente.
Trattamento superficiale: forniamo servizi di lucidatura o rivestimento di altissima precisione per migliorare la resistenza alla corrosione e la durata utile.
Verifica delle prestazioni dell'applicazione
Nel processo di cristallizzazione PVT SiC, come componente del crogiolo e del campo termico:
Aumenta la velocità di crescita dei cristalli del 15%-20% (rispetto alla grafite tradizionale);
Resa dei wafer aumentata a oltre il 90% (monocristallo SiC da 4 pollici);
Il periodo di manutenzione dell'attrezzatura è esteso a 6 mesi (i soliti 3 mesi).
Particolare rapida:
1. Altri nomi: crogiolo in grafite PVT, crescita del carburo di silicio con grafite porosa.
2. Applicazione: metodo PVT (metodo di trasporto fisico del gas) componente del campo termico del nucleo di crescita del monocristallo di SiC.
3. Parametri principali: purezza ≥99.9995%, porosità 15-30%, resistenza alla temperatura 2200℃ (ambiente di gas inerte), conduttività termica 100-150 W/m·K.
Specifiche
| Proprietà fisiche tipiche della grafite porosa | |
| oggetto | Parametro |
| densità apparente | 0.89 g / cm2 |
| Resistenza alla compressione | 8.27 MPa |
| Resistenza alla flessione | 8.27 MPa |
| Resistenza alla trazione | 1.72 MPa |
| Resistenza specifica | 130Ω -inx10-5 |
| Porosità | 50% |
| Dimensione media dei pori | 70um |
| Conduttività Termica | 12W/M*K |
Applicazioni
Assemblaggio del forno di crescita PVT: come parte della sublimazione del materiale SiC e della crescita dei cristalli, fornisce una distribuzione stabile del campo termico.
Componente di schermatura del campo termico: la struttura porosa riduce efficacemente lo stress termico e prolunga la durata utile dell'apparecchiatura.
Supporto per cristalli seme: elevata resistenza meccanica per sostenere i cristalli seme, per garantire la crescita direzionale del cristallo.
Strato di diffusione del gas: ottimizza l'efficienza del trasferimento della fase gassosa, migliora la qualità del monocristallo e il tasso di crescita.
Vantaggio competitivo
Prestazioni a temperature ultra elevate: nessuna deformazione da ammorbidimento a 2200℃, supportando più di 1000 ore di funzionamento stabile continuo.
Progettazione personalizzata del campo termico: combinata con la simulazione CFD per ottimizzare il gradiente dei pori, migliorare l'uniformità dei cristalli e la resa.
Servizio di iterazione rapida: fornisce test di corrispondenza dei parametri di processo e consegna della soluzione prototipo entro 72 ore.
