Tubi per forni in silicio sinterizzato ad alta purezza
In qualità di produttore e fornitore leader di tubi per forni in SiC sinterizzato ad alta purezza in Cina, i tubi per forni in SiC sinterizzato di Semixlab sono progettati per processi avanzati di produzione di semiconduttori, tra cui crescita epitassiale, ossidazione termica e drogaggio per diffusione. Disponibili in dimensioni e livelli di purezza personalizzati, i tubi Semixlab vengono sottoposti a rigorosi test di ispezione e cicli termici, offrendo prestazioni affidabili per la produzione di semiconduttori in grandi volumi.
Descrizione
I tubi per forni in carburo di silicio (SiC) sinterizzato ad alta purezza sono componenti essenziali nella produzione avanzata di semiconduttori. Noti per la loro eccezionale stabilità termica, inerzia chimica e basso contenuto di impurità, questi tubi forniscono un ambiente privo di contaminazione per processi ad alta temperatura come la crescita epitassiale, l'ossidazione termica e il drogaggio per diffusione. Riducendo al minimo la generazione di particelle e la contaminazione da ioni metallici, i tubi per forni in SiC sinterizzato garantiscono l'integrità dei wafer, le prestazioni del dispositivo e un'elevata resa produttiva.
Specifiche
| Proprietà fisiche del carburo di silicio sinterizzato | |
| Proprietà | Valore tipico |
| Composizione chimica | SiC>95%, Si<5% |
| Densità | >3.07 g/cm³ |
| Porosità apparentePorosità apparente | |
| Modulo di rottura a 20℃ | 270 MPa |
| Modulo di rottura a 1200℃ | 290 MPa |
| Durezza a 20℃ | 2400 Kg/mm² |
| Tenacità alla frattura al 20% | 3.3 MPa · m1/2 |
| Conduttività termica a 1200℃ | 45 w/m · K |
| Espansione termica a 20-1200℃ | 4.51 × 10-6/℃ |
| Temperatura massima di esercizio | 1400 ℃ |
| Resistenza agli shock termici a 1200℃ | Buone |
Applicazioni
Applicazioni nei processi dei semiconduttori
1. Crescita epitassiale
Ruolo: i tubi del forno in SiC sinterizzato forniscono un ambiente di zona calda stabile per l'epitassia del silicio e processi selezionati di epitassia del SiC.
Sfide nell'epitassia:
●Non uniformità della temperatura che determina uno spessore irregolare dello strato.
●Contaminazione da particelle che aumenta la densità dei difetti nei film epitassiali.
●Corrosione da gas di processo clorurati o alogenati.
Soluzioni con tubi SiC Semixlab:
●L'elevata conduttività termica garantisce una distribuzione uniforme del calore.
●La struttura sinterizzata densa riduce al minimo il rilascio di particelle.
●L'eccellente resistenza alla corrosione prolunga la durata di vita in presenza di sostanze chimiche aggressive.
2. Processo di ossidazione termica
Ruolo: nei forni di ossidazione, i tubi SiC sinterizzati fungono da camera di reazione in cui i wafer di silicio vengono esposti all'ossigeno o al vapore per formare strati uniformi di SiO2.
Sfide nell'ossidazione:
●I tubi di quarzo possono deformarsi o introdurre impurità metalliche nel corso di cicli lunghi.
●I gradienti termici irregolari influiscono sull'uniformità dello spessore dell'ossido.
●L'umidità ad alta temperatura può accelerare il degrado del materiale.
Soluzioni con tubi SiC Semixlab:
●La resistenza superiore agli shock termici previene la rottura dei tubi durante ripetuti riscaldamenti e raffreddamenti.
●La composizione in SiC ad alta purezza riduce al minimo la contaminazione e mantiene la qualità dell'ossido.
●La lunga durata riduce i tempi di fermo e i costi di sostituzione.
3. Doping per diffusione
Ruolo: i tubi SiC sinterizzati servono come camere di forno a diffusione per l'introduzione di droganti (B, P, As) nei wafer di silicio.
Sfide nella diffusione:
●Interazione tra gas droganti (POCls, BBr3, PHs) e pareti dei tubi che causano contaminazione.
● Accumulo di particelle che porta a perdite di giunzione e perdita di resa.
● Deformazione strutturale durante l'uso prolungato ad alta temperatura.
Soluzioni con tubi SiC Semixlab:
● La superficie chimicamente inerte resiste alla reazione con i gas droganti.
● La microstruttura densa riduce la generazione di particelle.
● Le prestazioni stabili nei cicli di lavorazione da 800 a 1,200 °C garantiscono profili di drogaggio coerenti.

Vantaggio competitivo
In Semixlab offriamo una soluzione completa basata su tre pilastri fondamentali:
●Personalizzazione e ingegneria di precisione: Sappiamo che ogni processo è unico. Il nostro team di ingegneri collabora direttamente con voi per progettare e realizzare tubi per forni in SiC personalizzati, che rispondano esattamente ai requisiti del vostro processo e alle specifiche delle vostre apparecchiature. Possiamo ottimizzare dimensioni, spessori delle pareti e finiture superficiali per massimizzare le prestazioni e prolungare la durata dei tubi.
●Consulenza tecnica specialistica: Il nostro team di esperti scienziati specializzati in materiali semiconduttori è a vostra disposizione per fornirvi un supporto tecnico approfondito. Che stiate risolvendo un problema di resa o sviluppando un nuovo processo ad alta temperatura, possiamo offrirvi consulenza specialistica su come integrare i nostri componenti SiC per risultati ottimali.
●Rigorosa garanzia di qualità prima della spedizione: Verifichiamo la precisione dimensionale, la finitura superficiale e la purezza di ogni tubo utilizzando tecniche avanzate di metrologia e analisi elementare. Questo rigoroso processo di controllo qualità garantisce che ogni prodotto Semixlab che ricevete sia pronto per la produzione in grandi volumi fin dal primo momento.
Aggiorna i tuoi processi di produzione di semiconduttori con i tubi da forno in SiC sinterizzato ad alta purezza di Semixlab, progettati per offrire eccezionale stabilità termica, inerzia chimica e prestazioni prive di contaminazione per applicazioni di epitassia, ossidazione e diffusione. Che tu abbia bisogno di dimensioni personalizzate, specifiche di elevata purezza o consulenza di processo da parte di esperti, Semixlab garantisce che i tuoi wafer raggiungano una resa ottimale e un'affidabilità ottimale. Contatta il nostro team tecnico per soddisfare le tue esigenze di produzione di semiconduttori.
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